韓國政府已提前啟動龍仁半導體國家工業園區的建設，該項目預計將于 2026 年 12 月開工
天眼查顯示，深圳基本半導體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布號為
天眼查顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司一種腔室清潔方法及半導體工藝設備專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布
浪潮華光光電成立二十五周年大會暨浪潮半導體產業園投產儀式在濟南舉行。
據西安經開消息，2025年1月3日，西安經開區與唐山控股發展集團舉行項目簽約儀式。唐山控股發展集團計劃投資5億元，在經開區建設
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
粵芯半導體迎來發展史上的又一重大里程碑時刻。
鎵仁半導體在超寬禁帶半導體材料領域取得重大突破
廈門大學恒坤科技先進半導體材料聯合創新中心(簡稱聯合創新中心)日前在廈大思明校區簽約揭牌。該中心是廈門大學與廈門恒坤新材料
國家知識產權局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202
天眼查顯示，蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司近日取得一項名為一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法的專利，授權
又見跨界收購半導體資產，這次是“一代鞋王”奧康。
12月24日，華工科技半導體激光裝備產業創新聯合實驗室啟動儀式在華工激光舉行。聯合實驗室是武漢市首批10家聯合實驗室之一，以半
科瑞半導體實施功率半導體產業鏈倍增計劃，推進第三代半導體等功率器件封測產線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC第三代半導體基礎工藝封測產線建設，擴建半導體功率器件框架生產線，主要應用于充電樁、新能源汽車等領域。
天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數的數據處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申
據港交所12月23日披露，廣東天域半導體股份有限公司(以下簡稱為天域半導體)向港交所主板提交上市申請書，中信證券為獨家保薦人。
該調查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導體制造投入的晶片生產的影響。
國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153
唐晶量子化合物半導體外延片研發和生產項目將扭轉化合物半導體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導體激光器、射頻芯片等國產化。
晶益通半導體官方消息宣布，IGBT模塊材料和封測模組產業園一期項目已順利封頂，項目預計將在明年4月竣工并交付使用。