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英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在

香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會(huì)（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報(bào)告了多項(xiàng)基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù).

環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。

2月26-28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。南方科技大學(xué)研究員葉懷宇受邀將出席論壇，并帶來《碳化硅器件封裝和失效分析》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

自研的碳化硅功率芯片完成裝機(jī)；自研自產(chǎn)的碳化硅功率模塊在理想汽車蘇州半導(dǎo)體生產(chǎn)基地下線；自研自產(chǎn)新一代電驅(qū)動(dòng)總成在常州電

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司總經(jīng)理助理高玉強(qiáng)博士將出席論壇，并帶來《高質(zhì)量8英寸碳化硅單晶材料技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。重慶大學(xué)教授曾正受邀將出席論壇，并分享《車用碳化硅功率器件：機(jī)遇與挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告，將詳細(xì)闡述車用碳化硅功率器件的行業(yè)需求、應(yīng)用現(xiàn)狀、技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢(shì)，為下一代車用碳化硅功率器件的研發(fā)與應(yīng)用提供參考。

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員蔣華平受邀將出席論壇，并帶來《碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

河北同光半導(dǎo)體股份有限公司國家企業(yè)技術(shù)中心揭牌暨年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目啟動(dòng)儀式

碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于近日發(fā)布了全新的第 4 代（Gen 4）技術(shù)平

Wolfspeed正穩(wěn)步推進(jìn)其位于北卡羅來納州查塔姆縣的50億美元半導(dǎo)體工廠建設(shè)，該項(xiàng)目進(jìn)展順利，即將完工并投產(chǎn)

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國

被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)心臟的功率器件，是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，也是國計(jì)民生領(lǐng)域最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的元器件之一，其核心

劉新宇表示，合作團(tuán)隊(duì)共同開展的碳化硅載荷，已于2024年11月搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船飛向太空，開啟了在中國空間站軌道的科學(xué)試驗(yàn)之旅。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Car

據(jù)豫基建消息，在鄭州新密市，一個(gè)總投資額高達(dá) 150 億元的半導(dǎo)體先進(jìn)制造業(yè)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目即將拉開序幕。該項(xiàng)目備受各界矚目，承載

1月10日，杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司（以下簡(jiǎn)稱杰立方）在大灣區(qū)（深圳）工商界高峰論壇及交流會(huì)2025上，與香港工業(yè)總會(huì)（FHK

天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月29日，申請(qǐng)公布號(hào)為

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月15日，申

該調(diào)查將初步評(píng)估中國的行為、政策和做法對(duì)碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。