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IFWS&SSLCHINA2024|? 功率模塊與電源技術應用峰會 探討新進展

發表于:2024-11-26 來源:半導體產業網 編輯:

?隨著電力電子技術的快速發展和新能源、新能源汽車等領域的興起,功率模塊市場呈現出穩健的增長態勢。電源模塊技術不斷進步,特別是在新能源汽車領域,高效、可靠的電源模塊需求激增,推動了技術的快速發展。數字化、智能化和綠色環保趨勢的推進,電源模塊行業將迎來更多的創新和變革。?

現場1

近日,第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)在蘇州召開。?論壇期間的“功率模塊與電源技術應用峰會”上,天津大學教授薛凌霄、小鵬汽車功率系統總監陳皓、瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監嚴啟南、易能時代科技有限公司董事長兼CEO蘇昕、納微半導體應用總監李賓、長城電源技術有限公司深圳研發中心副總經理蔡磊、浙江大學副研究員閆海東、派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師雷洋等專家們帶來精彩報告,共同探討功率模塊與電源技術應用的最新進展。浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創中心電源管理技術創新聯盟理事長吳新科,廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原院長邱宇峰共同主持了本屆峰會。

吳新科主持

吳新科

浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創中心電源管理技術創新聯盟理事長

邱宇峰

邱宇峰

廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原院長

?薛凌霄

薛凌霄

天津大學教授

天津大學教授薛凌霄帶來了“氮化鎵器件在多輸出電源中的應用”的主題報告,介紹了現有多端口充電器存在的問題,擬議的基于多路復用的解決方案,用QR控制器實現多路復用等內容,報告顯示,兩級多輸出轉換器不可擴展,提出了一種時分復用反激電路,演示了使用商用控制器的實現。報告指出,在滿載范圍內運行,具有卓越的輕載效率和EMI。

?陳皓

陳皓

小鵬汽車功率系統總監

小鵬汽車功率系統總監陳皓帶來了“塑封碳化硅模塊在800V電驅系統的應用”的主題報告,結合整車應用需求,分享了SiC塑封模塊關鍵技術、SiC應用挑戰、整車應用實績等內容。報告指出,SiC應用挑戰涉及帶著雜散參數、芯片并聯、EMC、軸電流等。其中,EMC的挑戰涉及碳化硅高開關速度、高電壓,增大高頻共模噪聲;系統耦合干擾,兼容性設計難度高;充電功能復用,EMC濾波挑戰增大;濾波設計迭代,周期長、代價高等。軸電流的挑戰涉及電控、電驅復雜系統耦合;電機軸承、減速器多電流環路共存;電機雜散參數一致性、不同工況油膜形成狀態等多因素耦合等。

?嚴啟南

嚴啟南

瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監

瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監嚴啟南帶來了“氮化鎵HEMT技術和產品路線圖”的主題報告,涉及單片GaN雙向、GaN FQS原型、1200V技術等內容。報告顯示,藍寶石上的GaN技術實現了低成本1200V GaN,1200V GaN的性能優于SiC MOSFET等。

蘇昕
蘇昕

易能時代科技有限公司董事長兼CEO

充電模塊是汽車充電設備中最重要的核心部件,占充電樁成本50%。易能時代科技有限公司董事長兼CEO蘇昕帶來了“電轉換電路與第三代半導體的協同發展”的主題報告,分享傳統電路中應用第三代半導體的思路,重新設計電路發揮第三代半導體的長處、降低第三代半導體的成本,解決大功率的痛苦。涉及EN5單極拓撲技術、EN5拓撲電路等。

?李賓

李賓

納微半導體應用總監

納微半導體應用總監李賓帶來了“氮化鎵與碳化硅驅動AI與數據中心的電源創新”的主題報告。數據中心和人工智能需要高效、高功率密度的電源,報告顯示,3.2 kW CrM圖騰柱PFC,峰值效率達到99.3%。構建了尺寸為90 x 30.5 x 11mm的1.5 kW 12V LLC模塊原型,在半負載時實現了97.5%的峰值效率。1.6kW 54V LLC模塊原型采用正在申請專利的磁集成技術,在半負載時峰值效率超過97.8%。

?閆海東

閆海東

浙江大學副研究員

浙江大學副研究員閆海東帶來了“基于低溫燒結技術的高性能SiC模塊封裝方法”的主題報告,下一代低溫燒結技術、N2-HCOOH中的低溫銅燒結、N2-HCOOH中的無壓銅燒結行為、無壓銅燒結的熱性能、大面積燒結AMB基板至散熱器、1200-600A SiC模塊的熱性能驗證等內容。

?雷洋

雷洋

派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師

碳化硅(SiC)MOSFET由于其優越的效率、高溫耐受性以及相比傳統硅器件更快的開關速度,已經成為現代電力電子技術中的關鍵技術。然而,影響其廣泛應用的一個重要挑戰是參數漂移,這會對其長期穩定性和性能產生影響。派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師雷洋做了“基于環流系統的碳化硅功率器件可靠性研究”的主題報告。報告指出,環流測試系統可以同時進行多個模塊的老化實驗,通過該實驗可以監測被測SiC MOSFET的參數漂移情況。短期實驗結果表明,在殼溫155℃左右運行時,SiC MOSFET未觀察到明顯的參數漂移。該測試也可以擴展至不同應力條件下的加速老化實驗對比。

?蔡磊

蔡磊

長城電源技術有限公司深圳研發中心副總經理

《基于第三代半導體器件的大功率AI 服務器電源解決方案》?

?(根據現場資料整理,僅供參考)?

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