據海滄區融媒體中心消息，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目正式全面封頂。

據悉，士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡。其中，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線，2026年一季度試生產，達產后年產能42萬片8英寸SiC芯片。二期投產后總產能將提升至72萬片/年，成為全球規模領先的8英寸SiC功率器件產線，項目以SiC MOSFET為核心產品，主要服務于新能源汽車主驅逆變器、光伏逆變器、智能電網等高需求領域。

士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越表示，總投資70億元的一期項目，將盡最大努力爭取在今年年底實現初步通線，明年一季度投產，到2028年底最終形成，年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。較好地滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。

據介紹，士蘭集宏項目全面達產后，預計年產值超120億元，可滿足國內40%以上的車規級SiC芯片需求，并帶動上下游產業鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產化進程。此外，士蘭微已實現第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產，其主驅模塊已獲國內知名車企批量采購，技術實力進一步鞏固。