3月11日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。
這款模塊產(chǎn)品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標(biāo)準(zhǔn)的Easy 1B封裝相同，其殼體緊湊，高度僅12mm。該模塊內(nèi)部芯片布置于陶瓷覆銅基板（DCB）上，具有內(nèi)絕緣功能，可直接緊貼散熱器，無(wú)需外加陶瓷絕緣墊片，安全可靠，散熱更好；同時(shí)，模塊采用彈簧安裝座，組裝方便，集成的安裝夾使安裝牢固。
模塊電路拓?fù)?/b>
該模塊產(chǎn)品內(nèi)置1200V 9mΩ SiC MOSFET芯片組成半橋電路，具有較低的雜散電感，簡(jiǎn)化了應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)，相對(duì)于分立器件方案，提升了功率密度。同時(shí)集成熱敏電阻(NTC)以監(jiān)測(cè)溫度。
該產(chǎn)品具有開(kāi)爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開(kāi)關(guān)時(shí)，抑制驅(qū)動(dòng)電壓尖峰，保障高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全和可靠。
SiC MOSFET芯片
這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現(xiàn)，支持+15V至+18V開(kāi)通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓，額定電流100A。
應(yīng)用場(chǎng)景
該產(chǎn)品適用于高頻、高效率功率變換系統(tǒng)，具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點(diǎn)，典型應(yīng)用場(chǎng)景如下：
1.高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
2.高壓直流變換器（DC-DC）
3.直流充電樁
4.不間斷電源（UPS）
（ 來(lái)源：瞻芯電子）