半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：3月27日，日本三墾電氣株式會社（以下稱“三墾電氣”）于董事會上決議，將耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）收購擁有氮化鎵（GaN）外延技術(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)的株式會社Powdec（總部：栃木縣小山市，法人代表：成井啟修，以下稱“Powdec”）的全部股份（以下稱“本次收購”），特此公告。本次收購預(yù)定將于2025年4月1日完成。

隨著功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將持續(xù)擴大，尤其是GaN功率器件市場預(yù)計將迎來快速增長。三墾電氣在2024年中期經(jīng)營計劃中提出，將化合物半導(dǎo)體器件作為重點發(fā)展的新技術(shù)領(lǐng)域，加大相關(guān)技術(shù)開發(fā)的投入力度，為實現(xiàn)業(yè)績的持續(xù)增長，積極推進相關(guān)投資。此外，在推進尖端技術(shù)的研發(fā)的基礎(chǔ)上，通過積極與外部企業(yè)合作，在加快研發(fā)速度的同時提高研發(fā)質(zhì)量，以提升企業(yè)價值，以此作為公司的定位。

三墾電氣表示，本次收購的Powdec公司擁有多項關(guān)于PSJ（Polarization Super Junction）技術(shù)的專利，能夠?qū)崿F(xiàn)高性能GaN功率器件。該公司在本公司今后重點拓展的GaN功率器件市場中，在技術(shù)力量方面擁有競爭優(yōu)勢。通過整合Powdec的先進技術(shù)，本公司可以謀求實現(xiàn)以下協(xié)同效應(yīng)：通過應(yīng)用于本公司的耐高壓功率模塊、功率器件，加速開發(fā)出具有相比傳統(tǒng)Si-IGBT/MOSFET更好的耐高壓、低損耗、低發(fā)熱量、高速開關(guān)特性的GaN功率器件。利用本公司在控制技術(shù)方面的優(yōu)勢，開發(fā)最優(yōu)化的GaN器件的驅(qū)動電路，并將其集成至同一封裝內(nèi)，提供更便于客戶進行設(shè)計的產(chǎn)品。使本公司主要應(yīng)用領(lǐng)域：汽車、白色家電、工業(yè)設(shè)備等行業(yè)的客戶的終端產(chǎn)品的節(jié)能、小型、輕量化成為可能。另外，在CO2減排等環(huán)保領(lǐng)域的貢獻也備受期待。

對于未來展望，三墾電氣表示，本次收購預(yù)計耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）劃計入2025年年報。若本次交易產(chǎn)生影響本公司合并業(yè)績，需披露的重大事項時，我們將及時公告。另外，本公司將繼續(xù)加大對以化合物半導(dǎo)體器件領(lǐng)域為主的高成長領(lǐng)域的投資，力爭實現(xiàn)超越市場增速的發(fā)展，進一步提升企業(yè)價值。

另悉，本次三墾電氣全資收購的Powdec株式會社與國內(nèi)的遠山新材料科技有限公司已建立了緊密的技術(shù)與產(chǎn)品合作關(guān)系，遠山公司持有Powdec核心專利“PSJ”在國內(nèi)的獨家技術(shù)授權(quán)。去年12月，遠山新材曾推出了基于PSJ藍寶石基氮化鎵技術(shù)的1200V系列GaN功率器件產(chǎn)品。隨著作為日本電力電子與功率半導(dǎo)體行業(yè)龍頭企業(yè)三墾電氣正式入局GaN，相信未來中高功率氮化鎵產(chǎn)品將加速切入工業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域。