?4月2日下午，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊在徐文匯總經(jīng)理的帶領(lǐng)下，赴山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)交流活動。雙方圍繞SiC肖特基二極管、MOSFET器件的研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用等展開深度研討，山東大學(xué)新一代材料研究院韓吉勝教授團(tuán)隊的七位專家學(xué)者共同參與，共探產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新路徑。

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技術(shù)研討：聚焦碳化硅器件研發(fā)突破

雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進(jìn)展。魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學(xué)專家則從學(xué)術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認(rèn)為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向，而魯晶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學(xué)的科研實力為合作提供了強有力支撐。?

市場應(yīng)用：拓展新能源領(lǐng)域合作空間

魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊重點推介了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應(yīng)用潛力。山東大學(xué)專家則針對高功率密度、長壽命等需求提出優(yōu)化建議。雙方認(rèn)為，SiC技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用將顯著提升能源效率，降低碳排放，為“雙碳”目標(biāo)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同：加速成果轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)升級

活動明確了校企協(xié)同創(chuàng)新機制：魯晶半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術(shù)研發(fā)能力；山東大學(xué)借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，推動科研成果快速轉(zhuǎn)化。

雙方將以此次合作為起點，構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體自主可控。

未來展望：構(gòu)建長期合作生態(tài)

雙方達(dá)成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定。魯晶半導(dǎo)體徐文匯總經(jīng)理表示：“此次合作是產(chǎn)學(xué)研深度融合的典范，我們將以市場需求為導(dǎo)向，加速技術(shù)迭代，打造國際競爭力。”山東大學(xué)新一代材料研究院韓教授團(tuán)隊強調(diào)，校企合作是培養(yǎng)復(fù)合型人才、服務(wù)國家戰(zhàn)略的重要途徑。

此次交流標(biāo)志著雙方在碳化硅功率器件制備和應(yīng)用領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，未來將持續(xù)協(xié)同創(chuàng)新，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級與綠色轉(zhuǎn)型注入新動能。

（來源：魯晶芯城）