9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創新技術，是鎵仁半導體實現氧化鎵單晶材料技術閉環的新里程碑。

據介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專用晶體生長設備滿足氧化鎵生長所需的高溫和高氧環境。設備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發團隊自主設計了獨特的復合測溫技術和控溫算法，確保晶體生長過程的穩定性、均勻性和一致性。該設備實現了全自動化晶體生長流程，減少了人工干預，顯著提高了生產效率和晶體質量。通過該設備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，以適應不斷發展的外延技術和器件需求。